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一种半导体器件，其包括衬底，该衬底具有包含横向扩散金属氧化物半导体晶体管的半导体层，该半导体层包括第一导电类型的管体区和相反导电类型的漂移区。在管体的沟道区上方的栅极电介质层，栅极电介质在管体区和漏极区之间的结上方延伸；栅极电介质上的栅极电...
该专利属于德克萨斯仪器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德克萨斯仪器股份有限公司授权不得商用。

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