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本发明实施例公开了一种基于大面积Ga2O3的电性能可调节的场效应晶体管阵列的制备方法及应用，制备方法包括：制备具有栅电极、栅介质层、Ga2O3沟道层、源电极和漏电极的场效应晶体管阵列；其中，所述Ga2O3沟道层由掺杂有掺杂元素的Ga2O3提...
该专利属于北京理工大学长三角研究院（嘉兴）所有，仅供学习研究参考，未经过北京理工大学长三角研究院（嘉兴）授权不得商用。

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