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本发明提供一种预测鳍式场效应管器件随机掺杂波动效应的方法，包括根据鳍式场效应管(FinFET)器件的沟道掺杂分布以及漏极电流与栅极电压关系曲线构建数据集；设置输入层、隐藏层和输出层的层数与神经元个数，建立FinFET器件随机掺杂波动的神经网...
该专利属于南京集成电路设计自动化技术创新中心所有，仅供学习研究参考，未经过南京集成电路设计自动化技术创新中心授权不得商用。

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