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本发明公开了一种集成神经形态以及可重构逻辑存算功能的人工神经元晶体管及其制备方法，顺序地在亲水处理后的Si衬底上生长电解质层、超薄铁电层、聚合物介电层和有机半导体层，然后利用非侵入性金膜转移工艺将金膜转移到电解质层上作为栅极，同时转移有机半...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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