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本发明提供一种发光性粒子的制造方法，该发光性粒子的分散性及稳定性优异且使用了由金属卤化物构成的半导体纳米晶体粒子。一种发光性粒子的制造方法，该发光性粒子在由金属卤化物构成的半导体纳米晶体粒子的表面具备含Si的表面层，该制造方法具备下述工序：...
该专利属于DIC株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过DIC株式会社授权不得商用。

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