温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种MRAM阵列结构，该MRAM阵列结构包括：磁性隧道结阵列，以及在磁性隧道结阵列中插入的一行/列或者多行/列假磁性隧道结，部分假磁性隧道结通过串并联的方式组合出多组参考电阻，每组参考电阻不限于一行/列假磁性隧道结。多组参考电阻中...
该专利属于浙江驰拓科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江驰拓科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。