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本发明提供一种带有超结结构的绝缘栅双极型晶体管及其制备方法,该晶体管包括第一导电类型漂移区、外延层、多个间隔设置的沟槽、第二导电类型填充层、栅极结构、体区、体接触区、源区、隔离介质层及源极导电层,其中,外延层位于漂移区的上表面,填充层与栅极...该专利属于华润微电子(重庆)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华润微电子(重庆)有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种带有超结结构的绝缘栅双极型晶体管及其制备方法,该晶体管包括第一导电类型漂移区、外延层、多个间隔设置的沟槽、第二导电类型填充层、栅极结构、体区、体接触区、源区、隔离介质层及源极导电层,其中,外延层位于漂移区的上表面,填充层与栅极...