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本发明提供一种气相沉积装置及基片处理方法。气相沉积装置包括：反应腔；基座组件，设置于反应腔的底部，包括用于承载基片的中心区域和环绕中心区域的边缘区域，基座组件可在一高位和一低位之间移动；气体喷淋头，与基座组件相对设置于反应腔的顶部，用于通入...
该专利属于中微半导体设备（上海）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中微半导体设备（上海）股份有限公司授权不得商用。

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