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本发明提供一种在单晶硅表层植入氧原子的方法及硅纳米沟道的制备方法和检测方法。植入氧原子的方法包括：将表面镀有氧化物层的单晶硅进行氦离子辐照并直写图形，氧化物层中的氧原子受氦离子动能转移被牵引植入单晶硅表层形成氧化硅。硅纳米沟道的制备方法步骤...
该专利属于上海科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海科技大学授权不得商用。

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