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本发明提供了一种GaNHEMT器件，包括：GaNHEMT结构；其中，所述GaNHEMT结构的表层包括：第一区域、第二区域以及第三区域；所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域沿水平方向依次排列；p
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该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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