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本发明公开了一种声学传感器及其制备方法，基底单元，基底单元包括自下而上依次层叠的第一硅层、第一氧化层以及第二硅层，基底单元内形成有背腔；第二氧化层，压电单元，形成于第二氧化层上，压电单元包括自下而上依次层叠的第一电极层、压电层以及第二电极层...
该专利属于瑞声科技（新加坡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过瑞声科技（新加坡）有限公司授权不得商用。

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