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本申请公开了混维范德瓦尔斯异质结光电探测器及其制备方法，其中，混维范德瓦尔斯异质结光电探测器包括：氧化硅片，具有衬底电极层以及衬底介电层；Bi2O2Se纳米线，位于衬底介电层的上方；二维过渡金属硫属化物层，位于Bi2O2Se纳米线的上方；漏...
该专利属于浙江芯科半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江芯科半导体有限公司授权不得商用。

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