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本申请公开了一种晶圆翘曲度调整方法、装置、设备及可读存储介质,承载平台分为的各平台区域的吸附力大小独立控制,方法包括:当晶圆在承载平台上薄膜沉积后,获取晶圆中各对应晶圆区域的翘曲度参数;根据各晶圆区域的翘曲度参数确定各平台区域的吸附力;当下...该专利属于上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司授权不得商用。
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本申请公开了一种晶圆翘曲度调整方法、装置、设备及可读存储介质,承载平台分为的各平台区域的吸附力大小独立控制,方法包括:当晶圆在承载平台上薄膜沉积后,获取晶圆中各对应晶圆区域的翘曲度参数;根据各晶圆区域的翘曲度参数确定各平台区域的吸附力;当下...