温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请公开了一种共源共栅型HEMT功率器件及其制备方法、芯片，通过在半导体衬底上形成层叠设置的缓冲层、漂移层以及势垒层，并由与缓冲层接触的第一电子气隔离结构和第二电子气隔离结构将势垒层和漂移层隔离成多个功能区，在其中一个功能区内形成第一源极...
该专利属于天狼芯半导体（成都）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天狼芯半导体（成都）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。