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本实用新型公开了一种具有横向PIN光电二极管的硅基锗图像传感器，其包括：PIN光电二极管层，包括锗衬底、形成于锗衬底中的隔离结构以及PIN光电二极管，其中，所述隔离结构用于限定横向PIN光电二极管的阵列区域，横向PIN光电二极管形成于所述阵...
该专利属于浙江兴芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江兴芯半导体有限公司授权不得商用。

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