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本发明公开了一种ＰＮ型核电池及其制备方法，通过两次ＭＯＣＶＤ外延和一次ＨＶＰＥ外延的复合外延技术生长获得衬底－ｎ型ＧａＮ掺杂层－ｐ型ＧａＮ掺杂层结构的ＰＮ器件材料结构，再使用半导体微加工工艺溅射生成对应的接触电极，制备形成基本的电池器件，并...
该专利属于苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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