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本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种硅纳米线的气－液－固相制备方法。是采用金属催化的ＶＬＳ生长技术，利用金属催化剂诱导制备硅纳米线，主要工艺步骤是：首先在Ｓｉ衬底表面上利用溅射或蒸发等工艺沉积一薄层具有催化作用的金属（Ａｕ，Ｆｅ，Ｎｉ...
该专利属于熊长宏所有，仅供学习研究参考，未经过熊长宏授权不得商用。

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