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本发明涉及导体屏蔽层修复技术领域，公开一种导体屏蔽层的修复方法，包括：开剥待修复位置的两端，以露出待修复位置的两端的导体屏蔽层；对导体屏蔽层靠近待修复位置的端部进行打磨抛光处理；在待修复位置覆盖半导电筒，半导电筒的两端分别与两端的导体屏蔽层...
该专利属于广东电网有限责任公司电力科学研究院所有，仅供学习研究参考，未经过广东电网有限责任公司电力科学研究院授权不得商用。

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