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本发明提供一种降低激光器烧结爬铟的芯片结构及制备方法，属于半导体激光技术领域，包括外延片，外延片从下至上依次为衬底、缓冲层、下限制层、有源区、上限制层和帽层，外延片的中心位置设置有脊型光腔，脊型光腔深至上限制层，脊型光腔的两侧设置有隔离槽，...
该专利属于潍坊华光光电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过潍坊华光光电子有限公司授权不得商用。

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