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本发明公开了一种半导体激光微通道，该半导体激光微通道的主体结构为五层，分别为位于上下外层的冷却液密封层、位于次内层的上下层微通道层以及设置在中间内层的导引层，每层均设置有热沉结构。本发明进一步提供了批量制备上述半导体激光微通道的方法，先通过...
该专利属于上海富乐华半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海富乐华半导体科技有限公司授权不得商用。

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