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本发明专利公开了一种具有GaN基多沟道凹槽MIS结合PN结栅的垂直晶体管及其制作方法，所述垂直晶体管包括GaN衬底层、n
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该专利属于上海格晶半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海格晶半导体有限公司授权不得商用。

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