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梁膜结合微压传感器，包括一基座４，基座４空腔内配置一（１００）晶面的全硅微压芯片５，所说的全硅微压芯片５的硅片的正面腐蚀形成相互垂直的梁１１和梁１１’，在硅片背面腐蚀形成平膜１０，梁１１和梁１１’与硅片四周的梁共同构成一“田”字梁，形成梁膜...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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