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本发明涉及一种硅负极片的制备方法，步骤包括：S1、将硅材料与碳基高分子材料于有机溶剂中混合均匀，并加入导电碳材料，混合均匀后，于铜箔上涂布以及烘干，得第一极片；S2、将所述第一极片转移至高温炉中，于惰性气氛下进行高温处理后，进行后处理，即得...该专利属于上海轩邑新能源发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海轩邑新能源发展有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种硅负极片的制备方法，步骤包括：S1、将硅材料与碳基高分子材料于有机溶剂中混合均匀，并加入导电碳材料，混合均匀后，于铜箔上涂布以及烘干，得第一极片；S2、将所述第一极片转移至高温炉中，于惰性气氛下进行高温处理后，进行后处理，即得...