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一种半导体器件，包括具有半导体元件的半导体衬底(10)、布置在半导体衬底的第一表面上的第一表面侧电极(19、21、51、52、61)和布置在半导体衬底的第二表面上的第二表面侧电极(22、53、62)。半导体衬底包括氮化镓衬底(11)和第一柱...该专利属于丰田自动车株式会社未来瞻科技株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过丰田自动车株式会社未来瞻科技株式会社授权不得商用。
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一种半导体器件，包括具有半导体元件的半导体衬底(10)、布置在半导体衬底的第一表面上的第一表面侧电极(19、21、51、52、61)和布置在半导体衬底的第二表面上的第二表面侧电极(22、53、62)。半导体衬底包括氮化镓衬底(11)和第一柱...