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本发明属于压力传感器技术领域，具体涉及一种超薄型全边框耐高温的半导体应变计及其制备方法。所述半导体应变计采用全边框封闭式孔洞结构，并包括高阻硅衬底层、二氧化硅氧化层、两条电阻栅、三个铝压脚以及氮化硅绝缘钝化膜；其中，两条电阻栅由四条力敏电阻...
该专利属于广东润宇传感器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东润宇传感器股份有限公司授权不得商用。

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