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本发明涉及功率半导体技术，具体涉及一种具有阳极辅栅的超结IGBT器件，包括：金属集电极；阳极辅助平面栅，由第二导电类型半导体多晶区、第一绝缘介质层、第一导电类型半导体集电区、第二导电类型源区、第二导电类型杂质缓冲层组成；超结柱区，由一导电类...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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