温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供了一种半导体结构的失效分析方法，应用于半导体技术领域。具体的，其针对具有材质为低k介质的薄膜结构的这种半导体样品的某种薄膜失效问题，其通过将现有技术中的常规拍照条件修改为大光圈和CL1聚光镜光阑，同时延长辐照时间的TEM拍图条件，...该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。
温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供了一种半导体结构的失效分析方法，应用于半导体技术领域。具体的，其针对具有材质为低k介质的薄膜结构的这种半导体样品的某种薄膜失效问题，其通过将现有技术中的常规拍照条件修改为大光圈和CL1聚光镜光阑，同时延长辐照时间的TEM拍图条件，...