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本发明公开了一种基于狭缝相变复合波导的全光相变多级存储器，包括SiO2基底，特点是SiO2基底上设置有上下两条矩形直波导，两条矩形直波导之间设置有微环波导，微环波导与矩形直波导之间设有耦合间距，微环波导上设置有可在波导倏逝场耦合作用下发生非...
该专利属于宁波大学所有，仅供学习研究参考，未经过宁波大学授权不得商用。

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