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本申请公开了一种晶体生长方法、设备及晶体，涉及晶体生长技术领域，解决现有技术中提拉法生长晶体过程中温度梯度变化导致晶体内部出现包裹物、云层、气泡等宏观缺陷的问题。该晶体生长方法包括：在使用提拉法生长晶体的过程中，控制感应线圈相对坩埚向下移动...
该专利属于北京滨松光子技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京滨松光子技术股份有限公司授权不得商用。

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