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本发明公开了一种集成光电器件和电子器件的半导体器件及其集成方法。该集成方法包括：在GaN单晶衬底的第一极性面制作光电器件结构，在GaN单晶衬底的第二极性面制作电子器件结构，且使电子器件结构与光电器件结构的至少一个电极电连接，或者，光电器件结...
该专利属于江苏第三代半导体研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏第三代半导体研究院有限公司授权不得商用。

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