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本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，其中所述LED外延结构包括依次堆叠在衬底上的应变缓冲层、截止层、第一型半导体层、有源层以及第二型半导体层，其中应变缓冲层包括依次堆叠的低温缓冲层、高温隔离层、第一超晶格缓冲层和第二超晶格缓冲层，低...
该专利属于厦门士兰明镓化合物半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门士兰明镓化合物半导体有限公司授权不得商用。

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