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本发明提供一种基于SOI晶圆的氮化硅波导的制备方法，包括步骤：1)于SOI晶圆的第一主面沉积隔离介质层；2)采用低压化学气相沉积工艺于沉积隔离介质层上和SOI晶圆的第二主面分别形成第一氮化硅层和第二氮化硅层；3)刻蚀第二氮化硅层，以至少去除...
该专利属于上海新微技术研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新微技术研发中心有限公司授权不得商用。

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