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本发明专利公开了一种混合沟道化合物半导体器件，其中器件的凹槽状栅电极通过控制垂直和横向两种电子沟道，实现常闭型化合物半导体器件。本器件避免了在功率模块中使用常开型化合物半导体晶体管带来的高压短路风险，能够安全的充分发挥化合物半导体晶体管在功...
该专利属于顶诺微电子（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过顶诺微电子（无锡）有限公司授权不得商用。

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