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本发明公开了一种基于拓扑谷边界态的高效电磁波导，属于拓扑光子晶体技术领域。本发明所述高效电磁波导包括上金属薄膜层、下金属层和介质基板，上层金属薄膜层位于介质基板的上表面；上金属薄膜层沿x方向包括依次连接的第一渐变过渡段、基片集成拓扑波导段和...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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