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本发明公开了一种ＡｌＧａＮ基蓝宝石衬底的紫外ＬＥＤ器件及制作方法，它涉及微电子技术领域，主要解决出射光效率低的问题。该器件自下而上依次包括低温ＡｌＮ成核层、高温ＡｌＮ成核层、本征ＡｌＧａＮ外延层、ｎ－ＡｌＧａＮ势垒层、有源区、ｐ－ＡｌＧａＮ...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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