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本发明公开了一种全硅基双面集成结构，该结构包括：位于顶层的硅桥、位于中间层的双面器件和TSV芯片、位于底层的硅转接板；其中双面器件和TSV芯片的上表面均与硅桥下表面通过微凸点实现机械及电气互联，下表面均与硅转接板上表面通过微凸点实现机械及电...
该专利属于中国工程物理研究院电子工程研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国工程物理研究院电子工程研究所授权不得商用。

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