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本申请实施例提供了一种场效应管、存储器、存储器的制备方法及电子设备。在本申请实施例提供的存储器的制备方法中，通过侧向刻蚀初始结构列的初始牺牲半导体结构，使得初始叠置结构的第一中间牺牲半导体结构的两侧面沿第二方向相对于初始源极结构和初始漏极结...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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