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本发明公开了一种使用金刚石衬底的高导热HEMT器件及其制备方法，包括在硅衬底上生长金刚石薄膜层；在金刚石薄膜层中开窗，得到第一开窗，第一开窗贯穿所述金刚石薄膜层；在第一开窗中的硅衬底上生长外延层，制作欧姆接触，并通过临时键合的方式将硅衬底替...
该专利属于成都功成半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都功成半导体有限公司授权不得商用。

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