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本发明公开了一种抗静电耐高电压合金薄膜压敏芯片及其制备方法，该芯片包括基底，以及在基底上依次制备缓冲层、第一氧化铝薄膜、第一氧化硅薄膜、第二氧化铝薄膜、第二氧化硅薄膜、敏感层和保护层。本发明合金薄膜压敏芯片，采用的复合绝缘层的介质耐电压可达...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十八研究所授权不得商用。

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