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本发明提供了一种AlGaN/GaN功率HEMT器件及其制备方法，器件包括：n型GaN衬底、第一p型GaN层、AlGaN层、空穴注入型PN结层和栅极结构，栅极结构贯穿空穴注入型PN结层、AlGaN层和第一p型GaN层、并停止于n型GaN衬底中...
该专利属于华润微电子（重庆）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华润微电子（重庆）有限公司授权不得商用。

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