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提供了一种气相沉积工艺，用于生长沉积的无氢碳化硅(SiC)和包含氧的SiC薄膜(SiC:O)。为了制备SiC薄膜，该方法包括向包含加热基底的反应区提供在有或没有稀释气体的气相中的硅烷烃前体，如TSCH(1,3,5
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