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本发明公开了一种具有高整流比的非对称MSM隧道结二极管及其制备方法，包括第一金属层、绝缘层、第二金属层和半导体层，第一金属层被配置为下电极，并具有正面和反面；绝缘层被配置为成型于第一金属层正面上，同时第一金属层正面的部分区域未被所述绝缘层覆...
该专利属于华东师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华东师范大学授权不得商用。

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