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本发明属于半导体器件加工制造技术领域，具体为一种基于铁电半导体材料的光电响应突触器件制备方法，通过机械剥离制备二维α
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该专利属于中北大学所有，仅供学习研究参考，未经过中北大学授权不得商用。

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