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本发明提供一种氮化镓器件接触孔的刻蚀方法，提供衬底，衬底上形成有GaN外延层以及位于GaN外延层上的势垒层；在衬底上形成覆盖势垒层的层间介质层，在层间介质层上形成光刻胶层，光刻打开光刻胶层，使得部分区域上的层间介质层裸露以定义出接触孔的形成...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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