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本发明公开了一种HEMT与LED的单片集成器件及其制备方法，该单片集成器件包括：衬底、设置于衬底一侧的HEMT叠层结构和LED叠层结构；其中，HEMT叠层结构包括在衬底表面依次层叠的沟道层和势垒层，沟道层和势垒层之间形成有二维电子气层；LE...
该专利属于江苏第三代半导体研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏第三代半导体研究院有限公司授权不得商用。

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