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一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，衬底包括基底、牺牲鳍部和若干器件鳍部，衬底包括隔离区和若干器件区，若干器件鳍部位于器件区，牺牲鳍部位于隔离区；在衬底上形成初始隔离层，初始隔离层覆盖器件鳍部、牺牲鳍部的侧壁；去除牺牲鳍...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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