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本发明涉及一种沟槽栅型IGBT。沟槽栅型IGBT至少包括第一类沟槽和P型掺杂深结区。在第一类沟槽与P型掺杂深结区之间还额外设置有第二类沟槽。第二类沟槽用于减缓或隔绝P型掺杂深结区对第一类沟槽的充电。本发明在带来IGBT开启阶段时增加少量延迟...
该专利属于成都森未科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都森未科技有限公司授权不得商用。

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