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本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种提高抗静电能力的GaN基外延结构生长方法，包括如下步骤：S3：依次生长10
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该专利属于福建兆元光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建兆元光电有限公司授权不得商用。

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