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本发明公开了一种碳化硅晶体生长电阻炉用电极结构,装配于炉腔内,包括电极主体和绝缘套,其中,电极主体,电极主体的第一端与功率元件电连接,第二端则探出于炉腔的内壁,且延伸连接至加热体;绝缘套套设于炉腔与加热体之间的电极主体上;通过绝缘套以对电极...该专利属于深圳市国碳半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市国碳半导体科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种碳化硅晶体生长电阻炉用电极结构,装配于炉腔内,包括电极主体和绝缘套,其中,电极主体,电极主体的第一端与功率元件电连接,第二端则探出于炉腔的内壁,且延伸连接至加热体;绝缘套套设于炉腔与加热体之间的电极主体上;通过绝缘套以对电极...