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本发明属于半导体探测器技术领域，提供一种柔性低增益SiC粒子探测器及其制备方法，该SiC粒子探测器，包括：在N型有源区和P型SiC欧姆接触层之间设N型掺杂SiC作为N+增益层，控制所述N+增益层的掺杂浓度和厚度使所述SiC粒子探测器的增益达...
该专利属于中国科学院高能物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院高能物理研究所授权不得商用。

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